KCY3008A場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，極低導...KCY3008A場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，提高效率；優秀的柵極電荷xRDS（...
全橋變換器的基本工作原理是直流電壓Vin 經過Q1、D1～Q4、D4組成的全橋開關變換...全橋變換器的基本工作原理是直流電壓Vin 經過Q1、D1～Q4、D4組成的全橋開關變換器，在高頻變壓器初級得到高頻交流方波電壓，經變壓器降壓，再全波整流變換成直流方...
基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開關器件（SW）、平滑...基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開關器件（SW）、平滑電容（C）和負載電阻（Load），Vout 是輸出電壓。開關通常是功率電子器件，例如由 P...
鋰電池保護板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用...鋰電池保護板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，提高效率...
QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機等設備將芯片從硅晶圓上切割分離...QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機等設備將芯片從硅晶圓上切割分離出來。 芯片貼裝：將切割下來的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。 引腳連接：通...
SBD具有較低的正向導通電壓，一般為0.3V左右；而PN結硅二極管正向導通電壓為0....SBD具有較低的正向導通電壓，一般為0.3V左右；而PN結硅二極管正向導通電壓為0.7V左右。肖特基二極管的正向導通電壓通常低于PN結二極管，這意味著在正向導通時，肖...
