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30V100A MOS管,3203場效應管,KND3203B參數資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-02-21 

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30V100A MOS管,3203場效應管,KND3203B參數資料-KIA MOS管


30V100A MOS管,KND3203B參數引腳圖

KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流100A;采用CRM(CQ)先進的溝槽MOS技術,極低導通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ,最大限度地減少導電損耗,高效低耗;優秀的QgxRDS(on)產品性能,符合JEDEC標準,開關速度快、內阻低,穩定可靠;適用于開關電源、家電控制板、LED射燈、電動工具、風扇、無刷電機中;封裝形式:TO-252,體積小、散熱良好,便于安裝和布局。

30V100A MOS管,KND3203B

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漏源電壓:30V

漏極電流:100A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:320A

雪崩能量單脈沖:256MJ

總功耗:101W

閾值電壓:1.8V

總柵極電荷:50nC

輸入電容:2340PF

輸出電容:460PF

反向傳輸電容:305PF

開通延遲時間:11nS

關斷延遲時間:34nS

上升時間:102ns

下降時間:95ns

3203場效應管參數,100A,30V規格書

30V100A MOS管,KND3203B

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