30v4.8a,3400mos,3400場效應(yīng)管,KIA3400參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-17
KIA3400場效應(yīng)管漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關(guān)損耗，高效穩(wěn)定可靠；符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)、綠色環(huán)保；適用于電源管理、開關(guān)控制、功率放大、高頻信號處理等，封裝形式：SOT-23，尺寸小，安裝方便。
VDS(V)=30V
RDS(on)<40mΩ(VGS=10V,ID=4.8A)
RDS(on)<42mΩ(VGS=4.5V,ID=4.0A)
RDS(on)<55mΩ(VGS=2.5V,ID=3.5A)
漏源電壓：30V
漏極電流：4.8A
柵源電壓：±12V
脈沖漏電流：30A
總功耗：1.4W
閾值電壓：0.6V
輸入電容：823PF
輸出電容：99PF
反向傳輸電容：77PF
總柵極電荷：9.7nC
開通延遲時(shí)間：3.3nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：26.3nS
上升時(shí)間：4.8ns
下降時(shí)間：4.1ns
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