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nmos工作原理示意圖,nmos原理圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-11-01 

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nmos工作原理示意圖,nmos原理圖-KIA MOS管


nmos工作原理

NMOS(n溝道金屬氧化物半導體)是一種在柵極區使用n型摻雜劑的晶體管。柵極端子上的正 (+ve) 電壓會打開器件。主要用于CMOS(互補金屬氧化物半導體)設計以及邏輯和存儲芯片。與 PMOS 晶體管相比,該晶體管速度非常快,因此可以在單個芯片上放置更多晶體管。


NMOS晶體管符號如下所示:

nmos工作原理

NMOS工作原理:

當NMOS晶體管接收到不可忽略的電壓時,它會形成閉合電路,這意味著從源極端子到漏極的連接就像電線一樣。因此電流從柵極流向源極。類似地,當該晶體管接收到約0V的電壓時,它會形成開路,這意味著源極端子到漏極的連接將斷開,因此電流從柵極端子流到漏極。


nmos結構圖:

nmos工作原理

當gs之間存在正壓差時,靠近氧化硅側就會聚集電子,形成導通。

nmos工作原理

NMOS晶體管由兩個n型半導體區域構成p型體,這兩個n型半導體區域與柵極相鄰,稱為源極和漏極。該晶體管具有控制源極和漏極端子之間的電子流的控制柵極。


由于晶體管的主體接地,因此源極和漏極朝向主體的PN結被反向偏置。如果柵極端子處的電壓增加,電場將開始增加并將自由電子吸引到 Si-SiO2 界面的底部。


一旦電壓足夠高,電子最終會填充所有空穴,并且柵極下方的一個薄區域(稱為溝道)將反轉,成為 n 型半導體。這將通過允許電流流動來創建從源極端子到漏極的導電通道,因此晶體管將導通。如果柵極端子接地,則反向偏置結中沒有電流流動,因此晶體管將關閉。


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