結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管偏置方式,JFET偏置電路-KIA MOS管

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管偏置方式

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管通常采用自偏置、分壓偏置和電流源偏置等方式。其中，自偏置方式簡(jiǎn)單易行，但穩(wěn)定性較差；分壓偏置方式穩(wěn)定性好，但電路復(fù)雜度較高；電流源偏置方式能夠提供穩(wěn)定的偏置電流，適用于高精度應(yīng)用。

JFET偏置電路

固定直流偏置技術(shù)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管偏置

在 N 溝道 JFET 的固定直流偏置技術(shù)中，JFET 的柵極以這樣的方式連接，即 JFET 的 V GS始終保持負(fù)值。由于 JFET 的輸入阻抗非常高，因此在輸入信號(hào)中沒有觀察到負(fù)載效應(yīng)。流過電阻器 R1 的電流保持為零。

當(dāng)我們?cè)谳斎腚娙萜?C1 上施加交流信號(hào)時(shí)，信號(hào)出現(xiàn)在柵極上。現(xiàn)在，如果我們計(jì)算 R1 上的電壓降，根據(jù)歐姆定律，它將是 V = I x R 或 V降= 柵極電流 x R1。由于流向柵極的電流為 0，因此柵極上的電壓降保持為零。因此，通過這種偏置技術(shù)，我們可以通過改變固定電壓來(lái)控制 JFET 漏極電流，從而改變 V GS。

自偏置技術(shù)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管偏置

在自偏置技術(shù)中，在源極引腳上添加了一個(gè)電阻器。源極電阻器 R2 上的電壓降產(chǎn)生 V GS以偏置電壓。在這種技術(shù)中，柵極電流再次為零。源電壓由相同的歐姆定律決定 V = I x R。因此源電壓 = 漏極電流 x 源電阻。現(xiàn)在，可以通過柵極電壓和源極電壓之間的差異來(lái)確定柵極到源極電壓。

由于柵極電壓為 0（因?yàn)闁艠O電流為 0，根據(jù) V = IR，柵極電壓 = 柵極電流 x 柵極電阻 = 0）V GS = 0 – 柵極電流 x 源極電阻。因此不需要外部偏置源，偏置是由自身產(chǎn)生的。

分壓器偏差

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管偏置