mos管怎么驅(qū)動,mos管驅(qū)動電路分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-18
MOS管的驅(qū)動原理在于其柵極、源極和漏極之間的電學(xué)特性。對于NMOS，當(dāng)控制信號（Ctrl In）輸出低電平時，NMOS不導(dǎo)通；當(dāng)輸出高電平時，NMOS導(dǎo)通。對于PMOS，當(dāng)輸出低電平時導(dǎo)通，輸出高電平時關(guān)閉。NMOS的使能電壓以地電平為參照，而PMOS以電源電壓為參照。
驅(qū)動電路的設(shè)計
NMOS驅(qū)動電路：
當(dāng)Ctrl In輸出低電平時，NMOS不導(dǎo)通，柵極通過下拉電阻R1接地，柵極電壓被拉低。
當(dāng)Ctrl In輸出高電平時，NMOS導(dǎo)通，柵極電壓被拉高，通過上拉電阻R1連接到電源。
PMOS驅(qū)動電路：
當(dāng)Ctrl In輸出低電平時，PMOS導(dǎo)通，柵極通過上拉電阻R1連接到電源。
當(dāng)Ctrl In輸出高電平時，PMOS關(guān)閉，柵極電壓被拉低，通過下拉電阻R1接地。
MOS管如何驅(qū)動？驅(qū)動電路分析
對NMOS來說，當(dāng)Ctrl In輸出低電平，NMOS不導(dǎo)通，當(dāng)輸出高電平時NMOS就會導(dǎo)通。
對PMOS來說，當(dāng)輸出低電平時，PMOS導(dǎo)通，當(dāng)輸出高電平時PMOS則關(guān)閉。
兩者的區(qū)別在于，NMOS的使能電壓是以GND為參照的，PMOS則是以VDD為參照。
R1可以加也可以不加，主要是起到一個偏置作用。
對于NMOS，當(dāng)輸出高電平到低電平時，下拉R1到GND，柵極能夠更快被拉低，固定到GND，進行可靠的關(guān)閉。
同理對于PMOS，當(dāng)輸出低電平到高電平時，上拉R1到VDD，柵極能夠更快被拉高，隨后固定在VDD，最后關(guān)閉。
理解了最基本的驅(qū)動電路，我們可以來將這個電路升級一下。
MOS管的柵源極之間可以充當(dāng)電容器，在MOS管處于穩(wěn)態(tài)的情況下，當(dāng)電容器充電時，電流流經(jīng)在一開始會比較多，隨后越來越少，當(dāng)電容器充滿電后，就沒有電流流經(jīng)了。
但是如果MOS管是處于被動打開的情況下，電流給柵源極充電的這一小段時間內(nèi)，柵極內(nèi)會有大量的電流流動。為確保這個過程，就需要再加一個電阻了，這個電阻越高，MOS管的開啟和關(guān)閉速度就越慢。反之則越快。
還有一種情況，柵極電阻放在下拉電阻的左邊，這就是一個分壓器電路了。但是如果它們的值比較相近，柵極電壓就會低于Ctrl in電壓，影響MOS管的開啟，所以放在R1左邊最好。
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