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耗盡型mos管和增強型mos管的區別-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-10-12 

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耗盡型mos管和增強型mos管的區別-KIA MOS管


增強型mos管

增強型MOSFET在沒有柵極電壓的情況下處于關閉狀態。當柵極電壓達到一定閾值時,溝道中的電荷濃度增加,形成導電通道,從而使器件導通。


增強型MOSFET通常采用P型或N型半導體作為襯底,溝道區域的摻雜濃度較低。在沒有柵極電壓時,溝道區域沒有自由載流子,因此器件處于關閉狀態。


工作原理

關斷狀態:當柵極電壓為0時,溝道區域沒有自由載流子,器件關閉。

導通狀態:當柵極電壓超過閾值電壓時,柵極電場吸引溝道區域的載流子,形成導電通道。


耗盡型mos管

耗盡型MOSFET在沒有柵極電壓的情況下已經形成導電通道,可以通過改變柵極電壓來控制器件的導電能力。


耗盡型MOSFET的溝道區域通常采用高摻雜的P型或N型半導體,即使在沒有柵極電壓的情況下,溝道區域也存在自由載流子。


工作原理

初始導通狀態:在沒有柵極電壓時,由于溝道區域的高摻雜,器件已經形成導電通道。

控制導通能力:通過改變柵極電壓,可以改變溝道中的電荷濃度,從而控制器件的導電能力。

耗盡型,增強型,mos管,區別

耗盡型,增強型,mos管,區別

增強型和耗盡型MOS管區別

增強型MOS管(常用的)SiO2中沒有任何正負電子,是柵極與溝道中間隔著絕緣層(SiO2)感應電子。


使用Vgs(th)(柵極閾值電壓)控制導通;


PMOS可以用作高端驅動,導通電阻大、價格貴、替換種類少;但是NMOS也可以替代用作高端驅動,在開關電源、馬達驅動電壓用作NMOS管。


隨著柵極偏置電壓的上升,溝道變得越來越強的反轉。隨著柵極偏置電壓的下降,溝道變的越來越弱,最后消失了。這種NMOS管的閾值電壓實際上是負的。這樣的晶體管稱為耗盡模式NMOS,或簡單的叫做耗盡型NMOS。相反,一個有正閾值電壓的的NMOS叫做增強模式NMOS,或增強型NMOS。


耗盡型MOS管可以用正、零、負電壓控制導通。


耗盡層的NMOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+,Vgs=0時,這些正離子產生的電場能在P型襯底中感應出足夠的電子,形成N型導電溝道;當Vgs>0時,N溝道變大,產生較大的Id(漏電流);當Vgs<0(閾值電壓)時,削弱正離子所形成的電場,使N溝道變窄,ld減小,關斷;


耗盡層的PMOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的負離子;閾值電壓大于0。


區別比較

導通狀態

增強型MOS管:需要外部正向偏置電壓才能導通。

耗盡型MOS管:在零門源電壓下即可導通。


關斷狀態

增強型MOS管:在關斷狀態下無載流子通道。

耗盡型MOS管:存在固有載流子通道,不需要外部電壓來維持導通狀態。


控制方式

增強型MOS管:需要外部電壓控制,控制靈活性更高。

耗盡型MOS管:通過施加逆偏電壓實現截止,控制相對簡單。


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