?【精選】圖文分析SiC MOSFET高頻振蕩-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-04-14
SiC MOSFET由于開關速度快，在大電流大電壓工作條件下，開關瞬態會產生非常高的電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt，因此其對功率回路的寄生參數非常敏感，容易產生嚴重的高頻振蕩。研究發現，SiC MOSFET的振蕩分別發生在開通瞬態的電流上升階段和電壓下降階段、以及關斷瞬態的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
從上述分析可知，無論是電流還是電壓，開關瞬態的高頻振蕩都與寄生參數密切相關，這就需要在實際應用場景中正確選擇驅動柵極電阻和外加電容來減小電壓電流變化率，或者添加適當的RC阻尼電路等，減小高頻振蕩的影響。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
