場效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm理解及分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-11-25
跨導(dǎo)gm（Transconductance）是電子元件的一項(xiàng)屬性。電導(dǎo)（G）是電阻（R）的倒數(shù)；而跨導(dǎo)則指輸出端電流的變化值與輸入端電壓的變化值之間的比值。
在SI單位中，西門子公司，用符號，S；1西門子=1安培每伏更換舊的電導(dǎo)率，具有相同的定義，mho（歐姆拼寫向后），符號?。
跨導(dǎo)gm，為Q點(diǎn)處轉(zhuǎn)移特性曲線的切線斜率。
對場效應(yīng)管而言，有下列公式成立
說明，某個Q點(diǎn)的跨導(dǎo)gm與K, （靜態(tài)工作點(diǎn)）有關(guān)。
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