【實例分析】晶體管溫度補償電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-12-22
晶體管的主要參數(shù)，如電流放大倍數(shù)、基極-發(fā)射極電壓、集電極電流等，都與環(huán)境溫度密切相關(guān)。因此，在晶體管電路中需要采取必要的溫度補償措施，才能獲得較高的穩(wěn)定性和較寬的使用環(huán)境溫度范圍。
采用NTC熱敏電阻器的晶體管溫度補償電路，普遍存在高溫（一般在50℃以上）補償不足、輸入阻抗隨溫度升高而下降，功耗較大等缺點。PTC熱敏電阻 晶體管溫度補償電路能克服上述缺點，擴大晶體管使用環(huán)境溫度范圍。
圖 三種接法的基本補償電路
圖(a)(b)(c) 為三種不同接法的晶體管基本補償電路，適用于不同的晶體管及工作電流，以求保證在較寬的溫度范圍內(nèi)的最佳補償效果。
此外，圖(b)和圖(c)除有穩(wěn)定工作電流的作用外， 還兼有過熱過流保護的功能，即當(dāng)電流或環(huán)境溫度超過設(shè)定值時，RT阻值劇增，從而使使晶體管截止。
晶體管放大電路
圖 晶體管放大電路
圖為采用PTC熱敏電阻的晶體管放大電路。 圖中RT為25℃時阻值180Ω的PTC熱敏電阻，當(dāng)環(huán)境溫度變化時，其阻值隨之變化使晶體管發(fā)射極電壓呈反向變化，從而使集電極電流保持穩(wěn)定。
圖 Ia、Av隨環(huán)境溫度Ta的變化
圖是環(huán)境溫度在-20~+60℃范圍內(nèi)，集電極電流Ic及電壓放大系數(shù)Av的變化情況。
圖中，曲線1、3是采用了PTC熱敏電阻的補償結(jié)果，曲線2、4是沒有采用PTC熱敏電阻補償?shù)慕Y(jié)果。
由于引入了PTC熱敏電阻器，集電極電流Ic及電壓放大系數(shù)Av抗環(huán)境溫度影響的能力得到顯著改進。
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