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經典電路:晶體管載波振蕩電路圖文詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-09-13 

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經典電路:晶體管載波振蕩電路圖文詳解-KIA MOS管


晶體管載波振蕩電路

(一)

晶體管載波振蕩電路,該振蕩電路設計在4.5kHz頻率上,可使用低頻晶體管,使用高頻晶體管對穩定度更有利。


晶體管載波振蕩電路


(二)

LC與晶體管振蕩電路的輸出是發射機的載波信號源,要求它的振蕩十分穩定。


一般使用晶振電路,其中Q值可達數萬,其頻率穩定度可達10-5~10-6。電路如圖5-1所示。在圖1-1中,晶振JT和C1、C2、C3、VT1構成電容三點式振蕩電路,振蕩頻率為3.579MHz。


電路中的R1、R2、R3決定晶體管的靜態工作點,其中R1可以調整。


在對靜態工作點設置時,先設定集電極電流ICQ,一般ICQ取0.5~4mA,ICQ太大會引起輸出波形失真,產生高次諧波。設晶體管β=60,ICQ=2mA,UEQ=(1/2~1/3)Ucc,則可算出R1,R2,R3。


如按下圖所示安裝電路,在調試中UBQ=8.3V,UEQ=7.7V。


晶體管載波振蕩電路


(三)

所示為小功率發射機的晶體管振蕩電路。


它是由載波振蕩器VT1和調制放大器VT2及電源供電電路等部分構成的。


vri是載波振蕩晶體管,它的基極電路中接有LC并聯諧振電路,微調CT可以改變載波信號的頻率,振蕩信號由VT1的發射極輸出,經耦合電容器送往調制放大晶體管VT2的基極。


調制信號經電容器(4.7yF)、電阻器(4.7kfl)和耦合電容器(IOOpF)也加到調制放大晶體管VT2的基極。載波信號和調制信號在VT2中進行幅度調制(AM),然后由集電極輸出,從天線上將信號發射出去。


晶體管載波振蕩電路




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