廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業

cn en

應用領域

igbt特性分析|igbt開關特性詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-06-25 

分享到:

igbt特性分析|igbt開關特性詳解-KIA MOS管


igbt基本特性

1.靜態特性

IGBT的靜態特性主要包括轉移特性和輸出特性。


(1)轉移特性

用來描述IGBT集電極電流iC與柵一射電壓UGE之間的關系,如圖圖1(a)所示。 它與功率MOSFET的轉移特性類似。開啟電壓UGE(th)是IGBT能實現電導調制而導通的最低柵一射電壓。


(2)輸出特性

輸出特性也稱伏安特性,描述以柵射電壓為參變量時,集電極電流iC與集一射極間電壓UCE之間的關系。


它與GTR的輸出特性類似,不同的是控制變量,IGBT為柵一射電壓UGE,而GTR為基極電流IB。IGBT的輸出特性分為3個區域:正向阻斷區、有源區和飽和區,如圖1(b)所示,與GTR的截止區、放大區和飽和區相對應。


UCE<0時,IGBT為反向阻斷狀態。在電力電子電路中,IGBT在開關狀態工作,在正向阻斷區和飽和區之間轉換。


IGBT特性 igbt開關特性

IGBT的靜態特性


igbt開關特性

IGBT的開關特性如圖2所示。


IGBT在導通過程中,大部分時間是作為MOSFET來運行的,只是在集射電壓Uσ下降過程后期,PNP晶體管由放大區至飽和區,又增加了一段延緩時間,使集射極電壓波形變為兩段。


IGBT在關斷過程中,集電極電流的波形變為兩段,因為MOS-FET關斷后,PNP晶體管中的存儲電荷難以迅速消除,造成集電極電流有較長的尾部時間。


IGBT特性 igbt開關特性


擎住效應

IGBT為4層結構,體內存在一個寄生晶閘管。在NPN晶體管的基極與發射極之間,存在一個體區短路電阻,P型區的橫向空穴流過該電阻會產生一定壓降,對J3結來說相當于一個正偏置電壓。


在規定的集電極電流范圍內,這個正偏置電壓不大,NPN晶體管不會導通;當Ic大到一定程度時,該正偏置電壓使NPN晶體管導通,進而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態。于是寄生晶閘管導通,柵極失去控制作用,這就是所謂的擎住效應。


IGBT發生擎住效應后,造成導通狀態鎖定,無法關斷IGBT。因此,IGBT在使用中,應注意防止過高的dzr/dr和過大的過載電流。




聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助






主站蜘蛛池模板: 婷婷综合激情网| 中日韩欧美视频| 欧美黑人巨大白妞出浆| 啊灬啊灬啊灬快灬性| 91精品视频免费| 国产精品视频久久久久久| h电车侵犯动漫在线播放| 成年人视频在线观看免费| 久久精品国产99国产精品澳门| 欧美日韩亚洲国产一区二区三区| 人妻巨大乳hd免费看| 精品欧美高清不卡在线| 国产乱码精品一区二区三区四川人| 亚洲最大的黄色网| 国产视频精品免费| aaaaaa级特色特黄的毛片| 小小视频最新免费观看| 国产91精品一区二区视色| 国产90后美女露脸在线观看| 国产精品揄拍100视频| 99久久免费精品高清特色大片| 性一交一乱一视频免费看| 久久久久久久久久久福利| 日韩欧美国产精品| 免费a级毛片无码a| 美女裸免费观看网站| 国产做床爱无遮挡免费视频| 国产美女在线一区二区三区| 国产精品嫩草影院av| 97国产在线观看| 夜夜爽免费视频| chinese乱子伦xxxx视频播放| 快点cao我要被cao烂了| 中文字幕无码精品三级在线电影| 日本少妇高潮喷水xxxxxxx| 久久精品无码一区二区无码| 最近2019中文免费字幕| 亚洲乱妇老熟女爽到高潮的片| 欧美日韩视频一区三区二区| 国产91无套剧情在线播放| 韩国激情3小时三级在线观看|