開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸...開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電...
電源管理芯片（Power Management Integrated Circuits），是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)...電源管理芯片（Power Management Integrated Circuits），是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責(zé)的芯片.主要負(fù)責(zé)識別CPU供電幅值...
運算放大器（簡稱“運放”）是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實際電路中，通常...運算放大器（簡稱“運放”）是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。它是一種帶有特殊耦合電路及反饋的放大器。其輸...
在逆變電路接感性負(fù)載的情況下，感性負(fù)載中的電流不能突變。在換相時，為了維持...在逆變電路接感性負(fù)載的情況下，感性負(fù)載中的電流不能突變。在換相時，為了維持電感上的電流，IGBT中的電流會轉(zhuǎn)移到反并聯(lián)的二極管上，以維持電流的持續(xù)流動。
MOS管是單極性器件，晶閘管是半控器件。晶閘管的正極相當(dāng)于MOS管的漏極，門極相...MOS管是單極性器件，晶閘管是半控器件。晶閘管的正極相當(dāng)于MOS管的漏極，門極相當(dāng)于MOS管的柵極，陰極相當(dāng)于MOS管的源極。控制是有所區(qū)別的，晶閘管是半控型器件，...
