開關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開關(guān)元件或二極管并...開關(guān)電源的主元件大都有寄生電感與電容，寄生電容Cp一般都與開關(guān)元件或二極管并聯(lián)，而寄生電感L通常與其串聯(lián)。由于這些寄生電容與電感的作用，開關(guān)元件在通斷工作...
從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸...從上圖可以看到，尖峰脈沖吸收電路就是一個RC吸收電路。至于在DC/DC哪里加RC吸收電路，這里有一個規(guī)律，就是在開關(guān)管開/關(guān)的時候，跟電感形成一個回路。
首先來看看MOS應力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =...首先來看看MOS應力公式：（理想化處理，不影響結(jié)論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5 這里兩個主要參數(shù)的意義： 1、Lk是變壓器漏感（實際還...
SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉...SJ MOSFET的技術(shù)主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術(shù)，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴散形成一個氮摻雜（...
很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電...很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的，而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向上流動的。其實這是一個誤解，...
