MOS管-5A-30V KPE4403A2產品概述 該KPE4403A2是高密度溝槽雙P溝道MOSFET，提供...MOS管-5A-30V KPE4403A2產品概述 該KPE4403A2是高密度溝槽雙P溝道MOSFET，提供了優異的性能。大多數同步降壓轉換器應用中的RDSON和柵極充電。KNE4403A2符合環保和...
MOS管選型需要滿足幾個要求： 1.足夠的漏-源電壓 VDS 2.足夠的漏極電流 ID ...MOS管選型需要滿足幾個要求： 1.足夠的漏-源電壓 VDS 2.足夠的漏極電流 ID 3.快速開關的能力和開通、關斷延時 4.低的導通電阻Rds(on)
(1)nmos反相器 設電壓vdd = 10v，開啟電壓vt1 = vt2 = 2v 1、a輸入高電平vih...(1)nmos反相器 設電壓vdd = 10v，開啟電壓vt1 = vt2 = 2v 1、a輸入高電平vih = 8v t1、t2均導通，輸出為低電平vol ≈0.3v 2、a輸入低電平v il = 0.3v時， t1...
半導體制冷器是指利用半導體的熱-電效應制取冷量的器件，又稱熱電制冷器。用導...半導體制冷器是指利用半導體的熱-電效應制取冷量的器件，又稱熱電制冷器。用導體連接兩塊不同的金屬，接通直流電，則一個接點處溫度降低，另一個接點處溫度升高。...
①正向阻斷區（也稱為截止區，夾斷區）：當柵極電壓Vgs＜Vgs(th)時，MOSFET溝道...①正向阻斷區（也稱為截止區，夾斷區）：當柵極電壓Vgs＜Vgs(th)時，MOSFET溝道被夾斷，漏極電流Id=0，管子不工作。
