圖中，MOSFET管充當(dāng)開關(guān)時(shí)，將S,D端連入回路中；g,m端連接控制器或者信號發(fā)生器...圖中，MOSFET管充當(dāng)開關(guān)時(shí)，將S,D端連入回路中；g,m端連接控制器或者信號發(fā)生器，通過輸入信號來控制MOSFET的閉合和斷開。
當(dāng)前時(shí)刻，電刷正極和換向器B1接觸，電刷負(fù)極和換向器B2相連，同時(shí)MOS1和MOS4導(dǎo)...當(dāng)前時(shí)刻，電刷正極和換向器B1接觸，電刷負(fù)極和換向器B2相連，同時(shí)MOS1和MOS4導(dǎo)通，MOS3和MOS2關(guān)閉，則線圈L1中有電流流過，如圖2所示。此時(shí)電機(jī)開始轉(zhuǎn)動(dòng),換向器也...
儲(chǔ)能：電路的耗電有時(shí)候大，有時(shí)候小，當(dāng)耗電突然增大的時(shí)候如果沒有電容，電源...儲(chǔ)能：電路的耗電有時(shí)候大，有時(shí)候小，當(dāng)耗電突然增大的時(shí)候如果沒有電容，電源電壓會(huì)被拉低，產(chǎn)生噪聲，振鈴，嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致CPU重啟，這時(shí)候大容量的電容可以暫時(shí)把...
如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路，定性分析可知，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管兩端應(yīng)力為Vds，此...如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路，定性分析可知，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管兩端應(yīng)力為Vds，此時(shí)Vds向Cgd和Cgs充電，可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通。
弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U(kuò)散電流。模型的表達(dá)式變?yōu)橹笖?shù)特...弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U(kuò)散電流。模型的表達(dá)式變?yōu)橹笖?shù)特性而不是平方律 弱反型區(qū)適合低功耗電路，因?yàn)殡娏骱苄?，但問題在于較大的噪聲以及...
