KCY3406A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術生產...KCY3406A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術生產，低導通電阻RDS(on)=8.5mΩ，改進的工藝和電池結構經過特別定制，最大限度地降低導...
如圖電源端（高壓側）的兩個N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，...如圖電源端（高壓側）的兩個N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET，Q2是用于電池充電的功率MOSFET...
施加正向電壓：當晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時，晶閘管并不會立即導通...施加正向電壓：當晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時，晶閘管并不會立即導通。 觸發信號注入：此時，需要在門極和陰極之間注入一個正向觸發脈沖信號。 晶閘管...
KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω...KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導電損失；具有高堅固性、快速切換、100%雪崩...
它在B處提供一系列窄脈沖，當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發...它在B處提供一系列窄脈沖，當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發射極–基極1結上放置一個低電阻，并且發射極電流流過脈沖變壓器的初級，將柵極信號...
