電壓源可以等效轉換為一個理想的電流源IS和一個電阻RS的并聯。電流源可以等效轉...電壓源可以等效轉換為一個理想的電流源IS和一個電阻RS的并聯。電流源可以等效轉換為一個理想電壓源US和一個電阻RS的串聯。即轉換公式：Us = Rs*Is。
mos損耗包括：導通損耗，開關損耗，驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是...mos損耗包括：導通損耗，開關損耗，驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。改善辦法：降低開關頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負載的...
對于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成...對于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成了二者電流方向的必然不同。
負載電阻失配與晶體管尺寸失配對失調電壓的影響隨著靜態工作點過驅動電壓增大而...負載電阻失配與晶體管尺寸失配對失調電壓的影響隨著靜態工作點過驅動電壓增大而增大；閾值電壓失配直接折合到輸入。
Veff=VGS-VTH，表示過驅動電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個變值，...Veff=VGS-VTH，表示過驅動電壓。表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個變值，會隨VGS電壓變化而變化，也會受VTH的影響（體效應），其實是我們設計過程中可能會經...
