下面是一個基于N溝道MOSFET的反向保護電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源...下面是一個基于N溝道MOSFET的反向保護電路，和PMOS不同的是，NMOS需要接在電源的負極端。其中漏極D必須接到電源的負極。源極S必須連接到設備的地，柵極則必須連接...
MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-...MOSFET、MODFET、MESFET最大的區(qū)別在于柵極的控制； MOSFET是MOS金屬-氧化物-半導體（電容）做柵極；
FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個門，閥門，打開...FET，有源極（Source）就是電子從源流入FET;柵極（Gate），是個門，閥門，打開FET，電子就流動，關上閥門，電子就不流動。 漏極（Drain），電子流出FET；電子是負...
IO進行控制：高電平轉動，低電平停止。 IO口高電平時：三極管集電級和發(fā)射級導...IO進行控制：高電平轉動，低電平停止。 IO口高電平時：三極管集電級和發(fā)射級導通，電機能量來源于VCC輸入，足以滿足電機工作。
直流充電樁一般由通信模塊、開關電源模塊及控制模塊等構成。其中，MOSFET是開關...直流充電樁一般由通信模塊、開關電源模塊及控制模塊等構成。其中，MOSFET是開關電源模塊中最核心的部分，是實現(xiàn)電能高效率轉換，確保充電樁穩(wěn)定不過熱的關鍵器件。...
