半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設...半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設計方法說明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時流過的電流的能量儲存在線路...
對于小功率電源(50W以內)MOS管的驅動電路設計相對簡單，只需要一個驅動電阻Rg即...對于小功率電源(50W以內)MOS管的驅動電路設計相對簡單，只需要一個驅動電阻Rg即可對MOS管進行驅動。此時的驅動開通電阻和關斷電阻阻值一致。
所有的MOS管導通后都存在導通內阻，當電流流過之后就會產生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導通后都存在導通內阻，當電流流過之后就會產生功率損耗，一般用RDS(ON)來表示，傳導損耗一般來說和MOS的大小成反比，體積越大，其導通電阻一般能做的...
如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點產生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點產生高速變化的dv/dt，下管Vds電壓變化通過米勒電容CGD產生位移電流，從而在門極驅動電阻和寄生...
通過調節RON/ROFF 的大小可以來調整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大RON/ROFF來減...通過調節RON/ROFF 的大小可以來調整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大RON/ROFF來減慢MOSFET開通/關斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
