在很多情況下，電源IC的技術(shù)規(guī)格書(shū)中給出的是在標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用電路中測(cè)試得到的效率...在很多情況下，電源IC的技術(shù)規(guī)格書(shū)中給出的是在標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用電路中測(cè)試得到的效率曲線圖（效率 vs 輸出電流）。如果所使用的電路條件與規(guī)格書(shū)中的效率曲線的條件相同...
首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時(shí)您讓高側(cè)面積更大（旨在降低其電阻），則低側(cè)的面積必減小，而其電阻增加。
Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被...Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被廣泛采用的TO-247-3L，(b)是近幾年漸漸擴(kuò)大采用的用于驅(qū)動(dòng)電路的源極端子（即所謂的...
圖所示的緩沖電路是通過(guò)CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的...圖所示的緩沖電路是通過(guò)CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。由于CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑...
RC 緩沖電路可在各開(kāi)關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過(guò)，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開(kāi)關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過(guò)，必須確保每次元件Turn ON 時(shí)CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率變高時(shí)，RSNB 所消耗的...
