超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件而開發(fā)的，該技術(shù)已...超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件而開發(fā)的，該技術(shù)已用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的制衡。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻并提高M(jìn)...
MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的...MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作，但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。請(qǐng)參閱下面的電路圖，用于連接 MOSFET 柵極電阻器（下拉...
被動(dòng)式PFC一般分“電感補(bǔ)償式”和“填谷電路式（ValleyFillCircuit）”“電感補(bǔ)...被動(dòng)式PFC一般分“電感補(bǔ)償式”和“填谷電路式（ValleyFillCircuit）”“電感補(bǔ)償方法”是使交流輸入的基波電流與電壓之間相位差減小來提高功率因數(shù)，被動(dòng)式PFC包...
當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降...當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate.上的電壓只有4.3V。這時(shí)候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管...
框中的上方ICO為輸出電容器、下方ICIN為輸入電容器的電流波形。輸入電容器可從...框中的上方ICO為輸出電容器、下方ICIN為輸入電容器的電流波形。輸入電容器可從VIN充電，當(dāng)晶體管Q1為ON時(shí)會(huì)放出開關(guān)電流IDD。比較大的電流會(huì)急劇反復(fù)流動(dòng)。輸出電...
