KIA3510AD場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導通...KIA3510AD場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導通電阻、低柵極電荷，最大限度地減少導通損耗，性能高效低耗；100%雪崩測試，穩定可靠...
通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以...通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以實現降壓功能，也可以實現升壓功能。它由兩個MOS管和兩個二極管組成。
圖中USB_PWR表示外接的5V的USB直流電源，BAT_PWR表示鋰電池供電電源（最大值4....圖中USB_PWR表示外接的5V的USB直流電源，BAT_PWR表示鋰電池供電電源（最大值4.2V），VCC則是電路系統的供電引腳，它來源于BAT_PWR或USB_PWR，而電路的核心是一個P...
KIA08TB70DD是一款制造先進的快恢復二極管，具有超快的25納秒恢復時間、175°C...KIA08TB70DD是一款制造先進的快恢復二極管，具有超快的25納秒恢復時間、175°C工作接點溫度、環氧樹脂符合UL 94 V一0@0.125英寸、低正向電壓、低泄漏電流、高溫玻...
VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器...VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器由穩壓管VD1穩壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓，直接推動VMOS大功率管，經變...
