在構造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧...在構造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在DS(漏極、源極)間形成PN接合，成為內置二極管構造。其中，Cgs、Cgd的容...
MOSFET中用內部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產生的反向EMF尖峰的影...MOSFET中用內部二極管，保護器件免受因連接的電感性負載,產生的反向EMF尖峰的影響。
對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓...對MOSFET的柵極進行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓的上升和下降）。因此，MOSFET驅動器的電流驅動能力并不影響由MOSFET柵極的容性負載...
使用MOSFET驅動器時可以采用許多不同的電路配置。很多時候，由于高的峰值電流、...使用MOSFET驅動器時可以采用許多不同的電路配置。很多時候，由于高的峰值電流、驅動電壓快的上升 / 下降時間以及電路板上長走線引起的電感，需要考慮額外的鉗位電...
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進入線性區，電流不再增加，能夠自我限流。
