高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)...高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開(kāi)通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬...SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開(kāi)通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，正是在互相矛盾的要求中尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，而這個(gè)平衡點(diǎn)就是開(kāi)...優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，正是在互相矛盾的要求中尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，而這個(gè)平衡點(diǎn)就是開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形，理想的驅(qū)動(dòng)波形如...
電源正常接入，也就是電源沒(méi)有正負(fù)反接，此時(shí)電源正常對(duì)負(fù)載供電。假設(shè)拿掉MOS...電源正常接入，也就是電源沒(méi)有正負(fù)反接，此時(shí)電源正常對(duì)負(fù)載供電。假設(shè)拿掉MOS管g極的電阻R1，此時(shí)MOS管將不導(dǎo)通，但Vin可以通過(guò)MOS管的體二極管對(duì)負(fù)載進(jìn)行供電。...
靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵...靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路； 二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，...
