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結(jié)電容Cgd Cgs Cds與分布參數(shù)Ciss Crss Coss-KIA MOS管...

結(jié)電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，...結(jié)電容”的定義適用于所有的FET，并不局限于VMOS，也適用于所有的VMOS晶體管，只是測定方法與標(biāo)識(shí)方法有差異。實(shí)際上結(jié)電容還包括引線電極與管芯之間的電容、管芯...

超結(jié)MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)產(chǎn)生原因-KIA MOS管

從圖5可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)功率MOSFET輸出電容的遲滯效應(yīng)，與其漏極源極所加電壓VDS直...從圖5可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)功率MOSFET輸出電容的遲滯效應(yīng)，與其漏極源極所加電壓VDS直接相關(guān)，這種效應(yīng)大多發(fā)生在低壓階段，這也表明，超結(jié)功率MOSFET輸出電容的遲滯效應(yīng)...

超結(jié)功率MOSFET輸出電容遲滯效應(yīng)分析-KIA MOS管

理論上，ZVS軟開關(guān)過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實(shí)際應(yīng)用中卻發(fā)現(xiàn)...理論上，ZVS軟開關(guān)過程中，COSS電容充放電，基本上沒有損耗。實(shí)際應(yīng)用中卻發(fā)現(xiàn)，功率MOSFET在ZVS軟開關(guān)過程中，COSS電容充放電過程存在一定的額外損耗，無法恢復(fù)存...

MOS管寄生電容如何形成？圖文詳解-KIA MOS管

1. 勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體...1. 勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會(huì)有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會(huì)形成空間電荷區(qū)（...