場(chǎng)效應(yīng)管可使用于縮小.因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管縮小器的輸出阻抗很高,因而嚙合庫(kù)容能夠定量...場(chǎng)效應(yīng)管可使用于縮小.因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管縮小器的輸出阻抗很高,因而嚙合庫(kù)容能夠定量較小,無(wú)須運(yùn)用電解電料皿.即非金屬-氧化物-半超導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET(...
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Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢?，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從...Si MOSFET管因?yàn)槠漭斎胱杩垢撸S著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高...
太陽(yáng)能發(fā)電現(xiàn)在是全球最有出資前景的熱點(diǎn)商場(chǎng)之一。歐盟現(xiàn)在是全球光伏發(fā)電量最...太陽(yáng)能發(fā)電現(xiàn)在是全球最有出資前景的熱點(diǎn)商場(chǎng)之一。歐盟現(xiàn)在是全球光伏發(fā)電量最大的區(qū)域。在2008年，這個(gè)區(qū)域占全球光伏發(fā)電量的80%。歐盟估計(jì)在2020年，太陽(yáng)能光...
在“國(guó)家集成電路工業(yè)出資基金”的支撐與股動(dòng)下，一度制約我國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)展的...在“國(guó)家集成電路工業(yè)出資基金”的支撐與股動(dòng)下，一度制約我國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)展的資金瓶頸正逐步減輕。但只要“本錢(qián)與技能”雙輪驅(qū)動(dòng)，我國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)才干均衡開(kāi)展。...
