半導體材料 一、半導體材料 半導體單晶 硅單晶 鍺單晶 化合物單晶 2...半導體材料 一、半導體材料 半導體單晶 硅單晶 鍺單晶 化合物單晶 2.半導體片材 其他半導體片材 半導體外延片 半導體拋光片 半導體封裝材料
跟著科學技術的發展，電源技術又與現代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技...跟著科學技術的發展，電源技術又與現代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技術等很多領域緊密親密相關。開關電源在電源技術中據有重要地位，從20kHz發展到高不...
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementM...MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強型（EnhancementMOS）。 因為場效應管拓展器的輸入阻抗很高，因而耦合電容能夠容量較小，不必運用電...
用測電阻法區分結型場效應管的電極對VMOSV溝道增強型場效應管丈量跨導性能時，...用測電阻法區分結型場效應管的電極對VMOSV溝道增強型場效應管丈量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就持平于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此...
Mosfet參數意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所...Mosfet參數意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓 Rds(on)：DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻 Id：...
P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大...P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之...
