功率開關(guān)管的種類很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門極可關(guān)斷晶閘管GTO...功率開關(guān)管的種類很多，如巨型晶體管GTR、快速晶閘管SCR、門極可關(guān)斷晶閘管GTO、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管P- MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等。雙極結(jié)型晶體管( BJT)是一...
由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一...由于在柵極與半導(dǎo)體之間有絕緣二氧化硅的關(guān)系，MOS器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應(yīng)用相當(dāng)引人注目，因?yàn)楦咻斎胱杩沟年P(guān)系，柵極漏電流非常...
在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及...在CMOS應(yīng)用中能同時(shí)將p溝道與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴(kuò)散步驟，以便在襯底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的摻雜種類與周圍襯底不同．...
單片MOS開關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關(guān)電源電路簡(jiǎn)單...單片MOS開關(guān)電源的典型應(yīng)用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關(guān)電源電路簡(jiǎn)單、所用元件少，輸出與輸人間有電氣隔離，能方便地實(shí)現(xiàn)多路輸出，開關(guān)管驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單，所...
導(dǎo)通瞬間基極過驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持...導(dǎo)通瞬間基極過驅(qū)動(dòng)峰值輸入電流／bl為了保證迅速導(dǎo)通集電極電流，需要有一個(gè)持續(xù)時(shí)間很短且峰值約為導(dǎo)通期間平均值2～3倍的基極尖峰電流供給基極。該尖峰的持續(xù)時(shí)...
開關(guān)電源發(fā)生過電壓、過電流短路時(shí)，保護(hù)電路使開關(guān)電源停止工作以保護(hù)負(fù)載和電...開關(guān)電源發(fā)生過電壓、過電流短路時(shí)，保護(hù)電路使開關(guān)電源停止工作以保護(hù)負(fù)載和電源本身。 線性電源一般是將輸出電壓取樣后與參考電壓起送入比較電壓放大器，此電壓...
