如下圖所示R5模擬后級(jí)負(fù)載，Q1為開關(guān)，當(dāng)R3端口的激勵(lì)源為高電平時(shí)，Q2飽和導(dǎo)通...如下圖所示R5模擬后級(jí)負(fù)載，Q1為開關(guān)，當(dāng)R3端口的激勵(lì)源為高電平時(shí)，Q2飽和導(dǎo)通，MOS管Q1的VGS
在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，功率MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，將輸入的電流...在PFC電路中，常用的結(jié)構(gòu)是BOOST電路，功率MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，將輸入的電流斬波為和輸入正弦波電壓同相位的、具有正弦波包絡(luò)線的開關(guān)電流波形，從而提高輸入的...
MOS管3203 30V100A參數(shù)-特點(diǎn) RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MO...MOS管3203 30V100A參數(shù)-特點(diǎn) RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MOS技術(shù) 極低通阻RDS(通) 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下參數(shù)： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高...1、跟雙極性晶體管相比,一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vbe類似)高于一定的值,就可以了。 MOS管和晶體管向比較 c ,b ,e —–> d （漏）, g（柵） , s...
驅(qū)動(dòng)電壓10V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)為PWM波，占空比為50%，頻率為1Mhz，寄生電感10nH，MOS管...驅(qū)動(dòng)電壓10V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)為PWM波，占空比為50%，頻率為1Mhz，寄生電感10nH，MOS管寄生電容為1nF，柵極串聯(lián)電阻為20Ω，這個(gè)電阻消耗的功率是多大？
