廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司

國(guó)家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

pmos管的工作原理 nmos和pmos的特點(diǎn)、區(qū)別和應(yīng)用 KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2018-04-10 

分享到:

P溝MOS晶體管

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類,P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

pmos

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過(guò)程長(zhǎng),加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對(duì)輸入電平的要求。

什么是PMOS

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過(guò)程長(zhǎng),加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS工作原理

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底,其中的多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是電子,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子,而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。

當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí),在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(fù)(絕對(duì)值越大),溝道的導(dǎo)通電阻越小,電流的數(shù)值越大。

PMOS的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底,其中的多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是電子,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對(duì)于源極施加負(fù)電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子,而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動(dòng)的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時(shí),在相對(duì)于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經(jīng)過(guò)導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端,形成從源到漏的源漏電流。同樣地,VGS越負(fù)(絕對(duì)值越大),溝道的導(dǎo)通電阻越小,電流的數(shù)值越大。

與NMOS一樣,導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū),臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。當(dāng)然,不論NMOS還是PMOS,當(dāng)未形成反型溝道時(shí),都處于截止區(qū),其電壓條件是

VGS

VGS>VTP (PMOS)

值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對(duì)輸入電平的要求。

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。


深圳KIA可易亞主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng):場(chǎng)效應(yīng)管、三端穩(wěn)壓管、快恢復(fù)二極管等半導(dǎo)體器件,專注大功率MOS管制造13年。

聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管  技術(shù)幫助

pmos

主站蜘蛛池模板: 亚洲欧美日韩在线不卡| 国产在线视频福利| h小视频在线观看| 手机在线看片国产| 久久精品国产69国产精品亚洲| 欧美高清视频www夜色资源| 再深点灬舒服了灬太大了乡村| 被女同桌调教成鞋袜奴脚奴| 国产欧美成人免费观看| 91成人在线播放| 天天草天天干天天| 中国毛片在线观看| 日本视频免费在线| 亚洲av午夜成人片精品网站| 欧美精品人人做人人爱视频| 免费a级毛片在线观看| 精品无码一区二区三区在线| 国产主播福利一区二区| 成年人网站免费视频| 国产精品久久久久久无毒不卡| 99久re热视频这里只有精品6| 好吊色青青青国产在线观看 | 乱子轮熟睡1区| 欧美国产成人精品一区二区三区 | 国产成人高清在线播放| 综合激情网五月| 国内精品伊人久久久久av影院| tube欧美69xxxx| 巨大黑人极品hdvideo| 中文字幕在线播| 日本一卡精品视频免费| 久久国产视频一区| 日韩精品无码一本二本三本| 亚洲av乱码一区二区三区| 欧美午夜艳片欧美精品| 亚洲日本一区二区三区在线不卡| 波多野吉衣中文字幕| 亚洲精品欧美精品日韩精品| 67194老司机精品午夜| 手机在线看片国产| 久久久久久久久女黄9999|