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KND4820B現貨供應商 KND4820B PDF文件下載 9A 200V參數資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-03-08 

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KND4820B參數

1、應用

KND4820B通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計,高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。


2、特征

專有的新平面技術

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門電荷最小化開關損耗

快速恢復體二極管


3、產品參數

產品型號:KND4820B

工作方式:9A/200V

漏源電壓:200V

柵源電壓:±20V

漏電流連續:9.0A

脈沖漏極電流:36A

雪崩能量:300mJ

耗散功率:83V

熱電阻:75℃/W

漏源擊穿電壓:200V

柵極閾值電壓:1.0V

輸入電容:418PF

輸出電容:94PF

上升時間:6.0ns

封裝形式:TO-251、TO-252


4、產品規格


KND4820B
產品編號 KND4820B 9A/200V
產品特征

專有的新平面技術

RDS(ON),典型值= 250mΩ@ VGS = 10v

低門電荷最小化開關損耗

快速恢復體二極管

適用范圍

高速功率開關應用,如高效率開關電源,有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。

封裝形式 TO-251、TO-252
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廠家 KIA原廠家
網址 www.52yitang.com
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