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場效應管和IGBT有什么區(qū)別-場效應管型號大全-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-02-25 

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場效應管和IGBT有什么區(qū)別

IGBT:IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。


IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。 專業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點說GBT管是有MOS管(場效應管)和雙極型達林頓管結合而成。將場效應管做為推動管,大功率達林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點有機的結合成現(xiàn)在的IGBT管,功率可以做的很大。


場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(juncTIon FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。


場效應管型號功能大全:







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