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16N50現(xiàn)貨供應(yīng)商-KIA16N50 16A/500V PDF下載 16N50參數(shù)資料-KIA官網(wǎng)

信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-15 

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KIA16N50參數(shù)指標(biāo)

這種功率MOSFET是使用起亞先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開(kāi)關(guān)模式電源、基于半橋拓?fù)?/span>



特征

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低柵極電荷(典型45nC )

快速切換能力

雪崩能量

改進(jìn)的數(shù)字電視/數(shù)字電視能力


參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào):KIA16N50

工作方式:16A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):16A

脈沖漏極電流:64A

雪崩能量:853mJ

耗散功率:38.5W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:500V

溫度系數(shù):0.6V/℃

柵極閾值電壓:3.0V

輸入電容:2200PF

輸出電容:350PF

上升時(shí)間:170 ns

封裝形式:TO-247、TO-220F、TO-3P



KIA16N50/HF/HH/HM
產(chǎn)品編號(hào) KIA16N50(16A 500V
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝 功率MOSFET是使用起亞先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。
產(chǎn)品特征

RDS (on) = 0.32Ω@ VGS = 10V

低柵極電荷(典型45nC )

快速切換能力

雪崩能量

改進(jìn)的數(shù)字電視/數(shù)字電視能力

適用范圍 主要適用于高效率開(kāi)關(guān)模式電源、基于半橋拓?fù)?/span>
封裝形式

TO-220F、TO-3P、TO-247

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網(wǎng)址 www.kiaic.com
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