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原裝KIA品牌mos管 6035 KIA6035 11A350V PDF文件下載-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-12 

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KIA6035參數指標

這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。


特征

RDS(ON)= 0.38Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的15nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


參數

產品型號:KIA6035

工作方式:11A/350V

漏源電壓:350V

柵源電壓:±20V

漏電流連續:11A

脈沖漏極電流:36A

雪崩電流:9.91mJ

雪崩能量:423mJ

耗散功率:99W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:350V

溫度系數:0.35V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:844 PF

輸出電容:162 PF

上升時間:23.5 ns

封裝形式:TO-252、TO-220



KIA6035/AD/AP
產品編號 KIA6035(11A 350V)
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝

這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的。開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。

產品特征

RDS(ON)= 0.38Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷(典型的15nc)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高效率開關電源,有源功率因數校正,基于半橋拓撲
封裝形式 TO-252、TO-220
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廠家 KIA原廠家
網址 www.52yitang.com
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