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4665現貨供應商 KNF4665 7A/650V PDF文件 4665參數詳細資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-02-07 

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KNF4665參數指標

功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。


KNF4665特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低柵極電荷(典型的25nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力


KNF4665參數

產品型號:KNF4665

工作方式:7A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:7.5A

脈沖漏極電流:30A

雪崩能量:21mJ

耗散功率:147W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數:0.65V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:970 PF

輸出電容:40 PF

上升時間:21 ns

封裝形式:TO-220、TO-220F



KNF4665
產品編號 KNF4665(7A 650V
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優越的開關性能,在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源,有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
產品特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低柵極電荷(典型的25nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

適用范圍 主要適合于高效率開關電源,有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式 TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網址 www.52yitang.com
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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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