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10N65現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA10N65 65A/600V KIA10N65 PDF文件-KIA 官網(wǎng)

信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-01 

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KIA10N65參數(shù)

KIA10N65 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的設(shè)計(jì)用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源用品,有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)洹?/span>



KIA10N65特征

RDS(on) =0.65? @ V GS =10V

低柵極電荷(典型的48nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力


產(chǎn)品型號(hào):KIA10N65

工作方式:10A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續(xù):10A

脈沖漏極電流:40A

雪崩能量:709mJ

耗散功率:52W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數(shù):0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1650 PF

輸出電容:1665 PF

上升時(shí)間:70 ns

封裝形式:TO-220F



KIA10N65(10A 650V
產(chǎn)品編號(hào) KIA10N65/HF/HP
FET極性 N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝

KIA10N65 N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET的設(shè)計(jì)用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源用品,有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)洹?/span>

產(chǎn)品特征

RDS(on) =0.65? @ V GS =10V

低柵極電荷(典型的48nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進(jìn)的dt/dt能力

適用范圍 適用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率開關(guān)電源用品,有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)洹?/span>
封裝形式 TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.52yitang.com
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聯(lián)系方式:鄒先生

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