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7N65現貨供應商 KIA7N65 7A/650V KIA7N65 PDF文件下載-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-01-31 

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KIA7N65參數

功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻,提供優越性。開關性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關電源,有源功率因數校正/基于半橋拓撲。


KIA7N65特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低柵極電荷(典型的29nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力


產品型號:KIA7N65

工作方式:7A/650V

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:7.0A

脈沖漏極電流:28A

雪崩能量:230mJ

耗散功率:147W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數:0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1000 PF

輸出電容:110 PF

上升時間:50 ns

封裝形式:TO-220、TO-220F、TO-263


KIA7N65(7A/650V
產品編號 KIA7N65/HB/HF
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 功率MOSFET是用起亞半先進的平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻,提供優越性。開關性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。非常適用于高效率開關電源,有源功率因數校正/基于半橋拓撲。
產品特征

RDS(on) =1.2@? VGS=10V

低柵極電荷(典型的29nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于高效率開關電源,有源功率因數校正/基于半橋拓撲。
封裝形式 TO-220、TO-220F、TO-263
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廠家 KIA原廠家
網址 www.52yitang.com
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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

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