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2N60現貨供應商 KIA2N60中文資料 PDF文件 2N60參數資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-01-27 

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KIA2N60參數

KIA2N60  N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序。


KIA2N60特征

RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型9NC)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


產品型號:KIA2N60

工作方式:2A/600V

漏源電壓:600V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:2.0*A

脈沖漏極電流:8*A

雪崩能量:12mJ

耗散功率:44W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:600V

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:200 PF

輸出電容:20 PF

上升時間:25 ns

封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F



KIA2N60(2A/600V)
產品編號 KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U
FET極性 N溝道MOSFET
產品工藝 kia2n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計高壓,高速功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
產品特征

RDS(ON)= 4.1Ω@ V GS = 10v

低柵極電荷(典型9NC)

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 主要適用于功率開關應用,如開關穩壓器,開關變換器,螺線管,電機驅動器,繼電器驅動程序
封裝形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網址 www.52yitang.com
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聯系方式:鄒先生

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聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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