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4N65H現(xiàn)貨供應商 KIA4N65H PDF文件 4N65H參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-23 

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4N65H參數(shù)概述

這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對的阻力,提供優(yōu)越的。


開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲。


特征:

RDS(on) =2.5?@ VGS=10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力


參數(shù):

產品型號:KIA4N65H

極性:N溝道MOSFET

漏源電壓(vdss):650V

柵源電壓(vgss):±30V

連續(xù)漏電流:(ld):3.0A

脈沖漏極電流:12A

雪崩電流:210mJ

雪崩能量:5.8mJ

耗散功率(pd):58W

熱電阻:110℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數(shù):0.65V/℃

柵極閾值電壓(min):100nA



4N65H(4A 650V
產品編號 KIA4N65/H/HD/HF/HU
FET極性 N溝道
產品工藝

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制,以盡量減少對的阻力,提供優(yōu)越的。

產品特征

RDS(on) =2.5??@ V GS =10V

低柵極電荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt/dt能力

適用范圍 開關性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源,有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲。
封裝形式 TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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廠家 KIA原廠家
網(wǎng)址 www.52yitang.com
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聯(lián)系方式:鄒先生

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