12N60現貨供應商 KIA12N60 PDF 12N60參數詳細資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-01-18
KIA12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
2、特征
RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V
低柵極電荷（典型的52nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
3、產品參數
漏極至源極電壓（VDSS）：600
柵源電壓（VGSS）：±30
漏極電流 （連續）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A
耗散功率（PD）：231
工作溫度：±150
擊穿電壓溫度：0.7
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時間：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω
4、KIA12N60H產品規格
 |
KIA12N50（12A 60V） |
| 產品編號 |
KIA12N60/F/HF/HP |
| 產品工藝 |
kia12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。 |
| 產品特征 |
RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V 低柵極電荷（典型的52nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器 |
| 封裝形式 | TO-220、Yo-220F |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| 網址 | www.52yitang.com |
| PDF總頁數 | 總7頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
長按二維碼識別關注
相關搜索：
