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12N60現貨供應商 KIA12N60 PDF 12N60參數詳細資料-KIA 官網

信息來源:本站 日期:2018-01-18 

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KIA12N60H產品描述

KIA12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。


2、特征

RDS(ON)= 0.53?@ V GS = 10 V

低柵極電荷(典型的52nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力


3、產品參數

漏極至源極電壓(VDSS):600

柵源電壓(VGSS):±30

漏極電流 (連續)(lD):Tc=25℃ 12A  Tc=100℃ 7.4A

耗散功率(PD):231

工作溫度:±150

擊穿電壓溫度:0.7

輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

上升時間:VDD=300V,ID=12A,RG=25Ω


4、KIA12N60H產品規格


KIA12N50(12A 60V)
產品編號

KIA12N60/F/HF/HP

產品工藝 kia12n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
產品特征

RDS(ON)= 0.53?@ V GS = 10 V

低柵極電荷(典型的52nc)

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt/dt能力

適用范圍 高電壓,高速功率開關應用,如高效率開關電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器
封裝形式 TO-220、Yo-220F
PDF文件 【直接在線預覽】
LOGO
廠家 KIA 原廠家
網址 www.52yitang.com
PDF總頁數 總7頁


聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

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