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大功率升壓電路原理圖,大功率電路設計-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-03-18 

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大功率升壓電路原理圖,大功率電路設計-KIA MOS管


大功率升壓電路

 大功率升壓電路

應用元件:

C1,C2,C5,C6,C8:輸入與輸出穩壓濾波電容。

C9:HVDD濾波電容。

C3:HVDD經過內部穩壓管到Vcc產生5V,此電壓會提供內部電路與驅動MOS,需要加穩壓電容。

C4,C10,R4:系統補償回路元件,關系到LX方波穩定度與瞬時響應速度。

R1,R2:FB分壓電阻,決定輸出電壓。

R3:改變阻值,調整過電流保護點。

R10:EN到輸入上拉電阻,控制EN下拉地,關閉IC。

Rout:HVDD限流電阻1000,避免輸出電壓過高,擊傷IC。

C12,R8:突波吸收元件,降低LX開關切換突波,一定要接。

L1:電感具有儲能與濾波功用,感值越大電感漣波越小,相對感值越小漣波越大。選用電感 注意電感是否適合高頻操作,及電感額定飽和電流值。

D1:當LX截止時,D1蕭特基管導通,提供電感放電回路。


大功率反相降壓升壓變換器電路

基于TL494的反相Buck-Boost轉換器的完整電路圖如下所示。

大功率升壓電路

電路分為三部分,第一部分是TL494 PWM控制器。TL494 PWM控制器驅動MOSFET。該IC配置為以100KHz開關頻率切換,適用于這種類型的應用。

大功率升壓電路

上面左側的原理圖中所示,反相降壓升壓轉換器使用p溝道MOSFET作為開關,但p溝道MOSFET的一大缺點是其內阻。如果考慮一個通用的IRF9540 p溝道MOSFET,內阻是0.22R或220ms,但如果考慮它的互補n溝道的IRF540,內阻是0.077R或77ms,比p溝道小3倍。這樣做是為了使用n溝道MOSFET來驅動電路,左邊的上述簡化電路正好顯示了這一點。它使用n溝道MOSFET而不是p溝道。

大功率升壓電路

電路的最后一部分是差分放大器。差分放大器接收兩個電壓值,找出這兩個值之間的差值,并將其放大。由此產生的電壓可以從輸出引腳獲得。

最后,電阻R19和R20形成一個分壓器,將電壓反饋到TL494 IC的引腳1,該引腳1根據負載情況調節PWM脈沖。


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