供電mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP場效應管-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-03-17
電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓60V,漏極電流50A,低導通電阻RDS(開啟) 10.5mΩ,最大限度地減少導電損耗,降低功耗、提升效率;低電流以減少導電損耗、高雪崩電流,高效穩定;無鉛和綠色設備,環保可靠;廣泛應用于UPS、電源管理、電池管理系統等;封裝形式:TO-220。
漏源電壓:60V
漏極電流:50A
柵源電壓:±25V
脈沖漏電流:250A
單脈沖雪崩能量:120MJ
功率耗散:88W
閾值電壓:3.0V
總柵極電荷:50nC
輸入電容:2060PF
輸出電容:755PF
反向傳輸電容:375PF
開通延遲時間:14nS
關斷延遲時間:20nS
上升時間:13ns
下降時間:7.5ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
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