mos管不能完全關(guān)斷原因,mos管關(guān)不斷解決-KIA MOS管

mos管關(guān)不斷原因

mos管不能完全關(guān)斷可能由多種原因造成，如驅(qū)動電壓不足、柵極電阻過大、溫度過高等。

漏電流：MOSFET存在漏電流，即使是在關(guān)斷狀態(tài)下，仍然會有微小的電流流過，導(dǎo)致無法完全關(guān)斷。

負(fù)載影響：后端負(fù)載的靜態(tài)功耗很低時，MOSFET的漏電流會在負(fù)載上產(chǎn)生電壓，導(dǎo)致無法完全關(guān)斷。

柵極電容影響：MOS管的柵極和源極之間存在結(jié)電容，如果驅(qū)動電流不足以快速充電或放電，會導(dǎo)致開關(guān)速度慢，影響關(guān)斷效果。

柵極電壓不足：柵極電壓不足或不穩(wěn)定也會導(dǎo)致MOSFET無法完全關(guān)斷。

驅(qū)動電路設(shè)計不合理：如果驅(qū)動電路設(shè)計不當(dāng)，可能導(dǎo)致無法在短時間內(nèi)將柵源電壓（Vgs）降低到關(guān)斷閾值以下，從而無法關(guān)斷MOS管。

mos管不能完全關(guān)斷的一些解決方法

檢查驅(qū)動電壓：

確保MOS管的柵極驅(qū)動電壓達(dá)到或超過其規(guī)格書中指定的閾值電壓（VGS（th））。如果驅(qū)動電壓不足，MOS管可能無法完全關(guān)閉。

如果使用的是邏輯電平驅(qū)動的MOS管，確保邏輯信號在關(guān)閉時能達(dá)到低電平標(biāo)準(zhǔn)（如OV或接近OV）。

調(diào)整柵極電阻：

柵極電阻的大小會影響MOS管的開關(guān)速度。如果柵極電阻過大，可能導(dǎo)致MOS管關(guān)閉速度變慢或無法完全關(guān)閉。適當(dāng)減小柵極電阻可能有助于改善情況。

增加負(fù)載電阻：在MOS管的輸出端增加合適的負(fù)載電阻，確保在關(guān)斷時能夠形成足夠的分壓，從而使測量到的電壓表現(xiàn)為關(guān)斷狀態(tài)。

檢查溫度：

MOS管的性能受溫度影響。高溫可能降低MOS管的閾值電壓，使其更難關(guān)閉。確保MOS管工作在合適的溫度范圍內(nèi)，并考慮使用散熱片或風(fēng)扇等散熱措施。

檢查漏源電壓：

確保漏源電壓（VDS）沒有超過MOS管的額定電壓。過高的漏源電壓可能導(dǎo)致MOS管損壞或性能下降。

使用負(fù)偏置電壓：

對于一些特殊的MOS管（如耗盡型MOS管），可能需要在柵極上施加負(fù)偏置電壓以確保其完全關(guān)閉。查閱規(guī)格書以了解是否需要此措施。

檢查外部電路：

有時MOS管關(guān)不斷的問題可能并非由MOS管本身引起，而是由外部電路（如電源、負(fù)載等）引起。檢查外部電路以確保其正常工作。

增加驅(qū)動能力：

如果驅(qū)動能力不足，也可能導(dǎo)致MOS管無法完全關(guān)閉。考慮使用更高驅(qū)動能力的驅(qū)動電路或驅(qū)動器。

使用隔離驅(qū)動：

在高噪聲環(huán)境中，使用隔離驅(qū)動電路可以確保柵極驅(qū)動信號的純凈和穩(wěn)定，從而改善MOS管的關(guān)閉性能。

檢查PCB布局和走線：

不良的PCB布局和走線可能導(dǎo)致柵極驅(qū)動信號受到干擾或衰減，從而影響MOS管的關(guān)閉性能。優(yōu)化PCB布局和走線可能有助于解決問題。

電源過壓保護(hù)電路，PMOS無法關(guān)斷案例

使用三極管、MOS管搭建輸入電壓過壓保護(hù)電路，仿真電路的PMOS無法關(guān)斷，仿真電路如下：

mos管關(guān)不斷

以上電路按理當(dāng)輸入電壓大于6.3V時，Q2應(yīng)該會關(guān)斷，可是在示波器中觀察到的卻是有7V輸出；

在PMOS的輸出接負(fù)載，可以關(guān)斷。

分析：MOS管屬于半導(dǎo)體電子開關(guān)，而非機(jī)械式開關(guān)，不可能做到電氣隔離的效果，從其特性來看，即使導(dǎo)通，其導(dǎo)通電阻也與Vgs的大小有關(guān)，Vgs越大(絕對值)，其導(dǎo)通電阻越小。輸出接負(fù)載電阻，肯定是與MOS管關(guān)斷時具有的電阻，形成的分壓，所以表現(xiàn)出關(guān)斷；當(dāng)不接負(fù)載電阻時，輸出相當(dāng)與開路，所以量測到的電壓為輸入電壓，沒有起到關(guān)斷效果。由此單獨(dú)量測當(dāng)Vgs=0時，Rds兩端的阻抗，發(fā)現(xiàn)其有6GΩ，如下：

mos管關(guān)不斷