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儲能電源mos管,650v場效應管,KIA12N65H參數引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-10-31 

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650v場效應管,KIA12N65H參數引腳圖

KIA12N65H場效應管漏源電壓650V,漏極電流12A,導通電阻RDS(ON)0.63Ω,高效低耗;低柵極電荷(典型值52nC),最小化開關損耗,快速切換能力在電路中能夠迅速響應信號變化,確保信號傳輸的準確性、雪崩能量規定和改進的dv/dt能力增強了穩定性及安全性;專為高壓、高速功率開關應用而設計,如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器;封裝形式:TO-220F。

650v場效應管,KIA12N65H

650v場效應管,KIA12N65H參數

漏源電壓:650V

漏極電流:12A

漏源通態電阻:0.63Ω

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:48A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:54W

總柵極電荷:52nC

輸入電容:1850 PF

輸出電容:180 PF

開通延遲時間:30nS

關斷延遲時間:140nS

上升時間:90ns

下降時間:90ns

650v場效應管,KIA12N65H規格書

650v場效應管,KIA12N65H

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