130A 100V場效應(yīng)管,KNX2910B中文資料,mos管原廠-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-15
KNX2910B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓100V, 漏極電流130A ，提供優(yōu)異的Rdson，RDS（ON）值為9mΩ，超低導(dǎo)通電阻，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，最小化開關(guān)損耗；低柵極電荷，完全表征雪崩電壓和電流，具有高EAS的良好穩(wěn)定性和均勻性，性能穩(wěn)定可靠；專用于電源切換、硬開關(guān)和高頻電路、不間斷電源；封裝形式：TO-220、TO-263，散熱良好。
漏源電壓：100V
漏極電流：130A
漏源通態(tài)電阻：9mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：520A
雪崩能量單脈沖：650.25MJ
功率耗散：211W
總柵極電荷：160nC
輸入電容：7950PF
輸出電容：460PF
開通延遲時(shí)間：24nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：92nS
上升時(shí)間：22ns
下降時(shí)間：42ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>