7n60場效應管參數,led驅動mos管,KIA7N60H參數管腳-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-22
KIA7N60H采用先進的平面條紋DMOS技術生產，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖，非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
KIA7N60H場效應管可以代換7n60型號，在高壓應用中表現出色，漏源擊穿電壓600V，漏極電流7A，RDS（打開）=1.0Ω @ VGS=10V，低導通電阻，有效降低功耗和提高效率；具有超低的柵極電荷，典型值為27nC，以及低反向轉移電容、雪崩能量測試、改進的dv/dt能力，確保在快速切換過程、高壓、高頻率條件下穩定可靠，多種封裝形式： TO-263、262、220、220F，方便安裝使用。
漏源電壓：600V
漏極電流：7.0A
漏源通態電阻(RDS(on))：1.0Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：215MJ
最大功耗：140/45W
輸入電容：900PF
輸出電容：100PF
反向傳輸電容：11.5PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：75nS
上升時間：45ns
下降時間：70ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>