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12n10場效應(yīng)管參數(shù)代換,防盜器專用mos管KIA6110A資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-08-01 

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12n10場效應(yīng)管參數(shù)代換,KIA6110A參數(shù)引腳圖

KIA6110A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12n10參數(shù)100V,15A場效應(yīng)管在防盜器、LED驅(qū)動、DC-DC電源、負(fù)載開關(guān)中應(yīng)用;KIA6110A漏源擊穿電壓100V,漏極電流12A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10v,提供出色的RDSON和柵極電荷,具有超低柵極電荷、出色的Cdv/dt效應(yīng)設(shè)計等特性,穩(wěn)定可靠;封裝形式:TO-252、251,散熱良好;符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100%EAS保證,全功能可靠性獲得批準(zhǔn)。

12n10場效應(yīng)管參數(shù)代換,KIA6110A

12n10場效應(yīng)管參數(shù)代換,KIA6110A參數(shù)

漏源電壓:100V

漏極電流:12A

漏源通態(tài)電阻:90mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏極電流:24A

雪崩電流:11A

雪崩能量:7.3mJ

耗散功率:34.7W

柵極閾值電壓:1.0V

總柵極電荷:26.2nC

輸入電容:1535 PF

輸出電容:60 PF

上升時間:8.2 ns


12n10場效應(yīng)管參數(shù)代換,KIA6110A規(guī)格書

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