mos管模型及三個(gè)小信號(hào)參數(shù)
信息來(lái)源：本站 日期：2017-08-18
小信號(hào)等效電路
模仿電路解析包括直流解析和交流小信號(hào)解析。這里導(dǎo)入小信號(hào)解析時(shí)所需要的小信號(hào)等效電路。小信號(hào)等效電路模型是使計(jì)算簡(jiǎn)單化的線性模型。
三個(gè)小信號(hào)參數(shù)gm、gmb、go
如前所述，模仿電路是在MOS晶體管器件的飽和區(qū)停止工作的。飽和區(qū)中，MOS晶體管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2，ID與Gs之間不是線性關(guān)系。但是，如圖2.1所示，在微小電壓νgs與微小電流id之間能夠看作線性關(guān)系近似認(rèn)為id∝ νgs。
圖2.2示出MOS晶體管的低頻小信號(hào)等效電路。這里運(yùn)用的小信號(hào)參數(shù)gm、gmb、go定義如下（單位都是西[門子]，S）。
(1)跨導(dǎo)(transconductance) gm：
(2)體跨導(dǎo)(bulk transconductance)gmb：
(3)漏極電導(dǎo)(grain conductance)go：
跨導(dǎo)gm表示圖2.1中示出的微小區(qū)域中直線的斜率。漏極電導(dǎo)go表示圖2.3中示出的ID-VDS特性的斜率，go=1/ro（ro是輸出電阻）。
