KIA超高壓MOSFET 1000-1500V，填補國內(nèi)空白-KIA MOS管

放眼半導體市場，現(xiàn)階段1000-1500V超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，且存在價格高，交付周期長等弊端。對此可易亞半導體（KIA）針對1000V超高壓MOS產(chǎn)品進行了大量的技術(shù)革新，通過多年的產(chǎn)品技術(shù)積累，開發(fā)出耐壓更高，導通內(nèi)阻更低的超高壓MOS管，填補了國內(nèi)空白，打破了進口品牌壟斷的局面，也降低了客戶對國外產(chǎn)品的依存度。

超高耐壓的器件主要應用場景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。

國內(nèi)專注研發(fā)優(yōu)質(zhì)MOS管廠家KIA半導體生產(chǎn)的超高壓MOSFET--KNX41100A可代換型號：東芝2SK1119，艾賽斯IXFP4N100。

KIA超高壓MOSFET-KNX41100A產(chǎn)品資料

超高壓MOSFET-KNX41100A漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為2A，適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等。

KNX41100A的開啟延遲典型值為8nS，關(guān)斷延遲時間典型值為36nS，上升時間6nS，下降時間15nS，反向傳輸電容4pF，反向恢復時間320nS，正向電壓的典型值1.5V。

KNX41100A的導通阻抗典型值為9.6Ω。最大功耗為60W，最大結(jié)溫為150℃。此產(chǎn)品的儲存溫度在-55到150℃，適用于大部分環(huán)境。

產(chǎn)品特點：

符合RoHS標準

RDS(ON),typ.=9.6Ω@VGS=10V

低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化

快速恢復體二極管

KNX41100A 1000V MOS管

圖：KNX41100A引腳配置

KNX41100A 1000V MOS管

圖：KNX41100A規(guī)格書

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴；主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。

KNX41100A 1000V MOS管